Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la información proporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parámetros, un amplio número será ahora familiar. Los parámetros restantes se introducirán en los capítulos siguientes. Se hará referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el parámetro.
La información proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de la publicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de propósito general con el encapsulado y la identificación de terminales que aparecen en el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La mayoría de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales máximos, características térmicas v características eléctricas. Las características eléctricas se subdividen además en características en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequeña señal. Las características en estado activo y pasivo se refieren a los limites de cd, mientras que las características de pequeña señal incluyen los parámetros de importancia para la operación de ca.
Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax

VCEO

30 V con ICmax
200 mA. La máxima disipación de colectora .
625 mW. El factor de degradación bajo los valores nominales máximos especifica que el valor nominal máximo debe descender 5 mW por cada grado de incremento en la temperatura sobre los 25°C. En las características durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat
0.3 V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 hasta 150 a una IC

2 mA y VCE =1 V y un valor mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.
Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se repiten a continuación en el formato de la ecuación (3.17) empleando hFE
150 (el límite superior). En realidad, para muchas aplicaciones, los 7.5 uA
0.0075 mA se pueden considerar como 0 mA sobre una base aproximada.
Límites de Operación
7.5 uA £ IC £ 200 mA
0.3 V £ VCE £ 30 V
VCEIC £ 650 mW

En las características de pequeña señal el nivel de hfe (b ca) se proporciona junto con una gráfica de cómo varía con la corriente de colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y la comente de colector sobre el nivel de hFE (b ca). A temperatura ambiente (25°C), adviértase que hFE (b cd) tiene un valor máximo de 1 en la vecindad alrededor de los 8 mA. A medida que IC, se incrementa más allá de este nivel, hFE cae a la mitad de su valor con IC igual a 50 mA. También decae a este nivel si IC disminuye al nivel inferior de 0.15 mA. Puesto que esta es una curva normalizada, si tenemos un transistor con b cd
hFE
50 a temperatura ambiente, el valor máximo a 8 mA es de 50. A IC
50 mA habrá decaído a 50/ 2
25. En otras palabras, la normalización revela que el nivel real de hFE a cualquier nivel de IC se ha dividido por el valor máximo de hFE a esa temperatura e IC = 8 mA.
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Transistor_8.JPG

Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.